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Si4842BDY
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
100.000
0.030
10.000
T J = 150 °C
0.024
1.000
0.100
0.010
T J = 25 °C
0.01 8
0.012
0.006
T J = 125 °C
0.001
0.000
T J = 25 °C
0.0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1.0
1.2
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0.5
0.2
- 0.1
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
I D = 5 mA
200
160
120
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
- 0.4
- 0.7
- 1.0
I D = 250 μ A
8 0
40
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.001
0.01
0.1
1
10
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
100
Limited b y R DS(on) *
10
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
1 ms
10 ms
1
100 ms
1s
0.1
0.01
T A = 25 °C
Single P u lse
10 s
DC
0.1
* V GS
1 10 100
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
Document Number: 73532
S09-0228-Rev. C, 09-Feb-09
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